郝躍，中國科學(xué)院院士，微電子學(xué)專(zhuān)家。2014年加入九三學(xué)社?，F任西安電子科技大學(xué)副校長(cháng)、教授、博士生導師，1958年3月生于重慶市，1982年畢業(yè)于西安電子科技大學(xué)半導體物理與器件專(zhuān)業(yè)。1990年在西安交通大學(xué)計算數學(xué)專(zhuān)業(yè)獲博士學(xué)位；國際IEEE學(xué)會(huì )高級會(huì )員，中國電子學(xué)會(huì )常務(wù)理事，國家中長(cháng)期規劃綱要“核心電子器件、高端通用芯片和基礎軟件產(chǎn)品”科技重大專(zhuān)項實(shí)施專(zhuān)家組組長(cháng)，總裝備部微電子技術(shù)專(zhuān)家組組長(cháng)，國家電子信息科學(xué)與工程專(zhuān)業(yè)指導委員會(huì )副主任委員。國家重大基礎研究計劃（973計劃）項目首席科學(xué)家、國家有突出貢獻的中青年專(zhuān)家和微電子技術(shù)領(lǐng)域的著(zhù)名專(zhuān)家，國家電子信息科學(xué)與工程專(zhuān)業(yè)指導委員會(huì )副主任委員。第九、第十屆全國政協(xié)委員和第十一屆全國人大代表。曾獲國家技術(shù)發(fā)明獎二等獎1項，國家科技進(jìn)步二、三等獎各1項。
科研概述
長(cháng)期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養，是國家重大基礎研究(973)計劃項目首席科學(xué)家、國家有突出貢獻的中青年專(zhuān)家和微電子技術(shù)領(lǐng)域的著(zhù)名專(zhuān)家。他在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波器件、半導體照明短波長(cháng)光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統的創(chuàng )新成果。
研究方向
郝躍教授主要從事理論和基礎性研究，研究方向為集成電路可靠性設計與統計最優(yōu)化理論和方法，IC制造動(dòng)力學(xué)理論和方法的研究，以及可靠設計技術(shù)和方法學(xué)研究。在該領(lǐng)域研究中，取得了創(chuàng )造性成果，提出了利用分形描述硅片缺陷的空間分布和粒徑分布的理論，實(shí)現了集成電路功能成品率表征與最優(yōu)化設計系統。在該方向他先后承擔國家科技攻關(guān)、軍事電子預研、863高科技項目和各類(lèi)基金項目七項。先后在國內外重要學(xué)術(shù)刊物和會(huì )議上發(fā)表論文80余篇，出版專(zhuān)(合)著(zhù)五部，獲得國家科技進(jìn)步獎1項，省部級科技進(jìn)步獎4項。近幾年，他先后被評為電子工業(yè)部有突出貢獻專(zhuān)家、全國電子工業(yè)系統先進(jìn)工作者、陜西省“十大杰出科技青年”和“新長(cháng)征突擊手”，入選國家教委“跨世紀優(yōu)秀人才”計劃。
主要研究領(lǐng)域包括寬禁帶半導體技術(shù)，深亞微米及超深亞微米器件物理，集成電路可制造性和可靠性理論與方法等。先后主持了多項國家科技攻關(guān)、863高科技項目、973計劃項目、國家自然科學(xué)基金等項目，取得了突出成就。研究成果獲國家八五重大科技成果獎一項，國家技術(shù)發(fā)明二等獎一項，國家科技進(jìn)步二、三等獎各一項；電子工業(yè)部科技進(jìn)步一等獎一項；省部級科技進(jìn)步一等獎一項，二等獎三項，三等獎四項；光華科技二等獎一項。并獲得了2010年度“何梁何利基金科學(xué)與技術(shù)進(jìn)步獎”，于2005年和2011年兩次當選“科學(xué)中國人”年度人物。在國內外著(zhù)名刊物和重要國際會(huì )議上發(fā)表論文200余篇，其中SCI 180余篇，被他引600余次（截止2013年5月），專(zhuān)著(zhù)3本，國家發(fā)明專(zhuān)利7項。
科研成果
主持的科研成果獲得國家發(fā)明獎二等獎一項，國家科技進(jìn)步二、三等獎各一項；省部級科技成果一、二等獎十余項；獲得國家發(fā)明專(zhuān)利授權二十余項。
論著(zhù)
出版了“氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件”、“微納米MOS器件可靠性與失效機理”、“碳化硅寬帶隙半導體技術(shù)”、“集成電路制造動(dòng)力學(xué)理論與方法”等多本著(zhù)作，在國內外著(zhù)名期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文300余篇，有200余篇被SCI收錄。
