黃昆(1919年9月2日—2005年7月6日)，出生于北京，祖籍浙江嘉興。固體物理、半導體物理學(xué)家。1955年被選聘為中國科學(xué)院學(xué)部委員(院士)。1957年加入九三學(xué)社。
黃昆父親黃徵是中國銀行高級職員，母親賀延祉也是銀行職員。母親畢業(yè)于北京女子師范大學(xué)，為人嚴肅認真，對黃昆少年時(shí)期的成長(cháng)，有過(guò)很大的影響。黃昆小學(xué)就讀北師大附小、上海光華小學(xué)，中學(xué)在燕大附中、北京通縣潞河中學(xué)度過(guò)。黃昆從小聰明好學(xué)，學(xué)習成績(jì)優(yōu)異，高中三年成績(jì)始終是全班第一。1937年，黃昆考入燕京大學(xué)物理系，1941年畢業(yè)。在大學(xué)期間，他對世界上新興的量子力學(xué)產(chǎn)生了癡迷的愛(ài)好，完成了“海森堡和薛定鍔量子力學(xué)理論的等價(jià)性”論文，榮獲學(xué)士學(xué)位。畢業(yè)后在昆明西南聯(lián)合大學(xué)物理系任助教。1942年，黃昆考取西南聯(lián)大理論物理研究生，導師為物理學(xué)家吳大猷。1944年，黃昆完成了題目為“日冕光譜線(xiàn)的激起”的論文，獲北京大學(xué)碩士學(xué)位。畢業(yè)后，在昆明天文臺任助理研究員。1944年8月，黃昆考取公費留英，在英國布里斯托大學(xué)讀研究生，1947年獲博士學(xué)位。在此期間，黃昆撰寫(xiě)了“稀固溶體的X光漫散射”等3篇論文。黃昆給出了這種
漫散射系統理論，21年后得到證實(shí)，理論被國際科技界命名為“黃散射”，成為研究固體中雜質(zhì)狀態(tài)的重要依據。通過(guò)黃散射的研究可以得到溶質(zhì)原子周?chē)灰茍?chǎng)的情況。1947年5月，黃昆到英國愛(ài)丁堡大學(xué)物理系，與當代物理學(xué)大師、諾貝爾獎獲得者M(jìn)玻恩(Born)合作，共同撰寫(xiě)《晶格動(dòng)力學(xué)理論》專(zhuān)著(zhù)。在玻恩為該書(shū)寫(xiě)的序言中提到“本書(shū)之最終形式和撰寫(xiě)應基本上歸功于黃昆博士”。黃昆與玻恩合著(zhù)的《晶格動(dòng)力學(xué)理論》一書(shū)是國際公認的這一學(xué)科領(lǐng)域的權威著(zhù)作，哺育了世界上幾代科學(xué)家的成長(cháng)。1948年初，黃昆接受英國利物浦大學(xué)理論物理系主任佛羅利希(Frohich)的聘請，成為該系的博士后研究員。在利物浦大學(xué)工作期間，黃昆在科學(xué)事業(yè)上取得了豐碩的成果。他特別關(guān)注固體發(fā)光中心、半導體深能級等區域電子態(tài)、晶格原子的平衡位移和晶格中電子間相互作用。1950年黃昆與合作者首次提出了多聲子的輻射和無(wú)輻射躍遷的量子理論，即“黃—佩卡爾理論”。1951年黃昆首次提出了晶體中聲子與電磁波的耦合振蕩模式及有關(guān)的基本方程。
1963年被拉曼散射實(shí)驗所證實(shí)，被命名為電磁聲子，后來(lái)發(fā)現其他物質(zhì)振動(dòng)也有類(lèi)似的與電磁波的耦合振蕩模式，統稱(chēng)為極化激元?，F在極化激元已經(jīng)成為分析固體某些光學(xué)性質(zhì)的基礎，黃昆當時(shí)提出的方程，被稱(chēng)為“黃方程”。1951
年黃昆回國，到北京大學(xué)物理系任教。黃昆在利物浦大學(xué)期間，結識了英國女同事A里斯(Rhys)，并建立了誠摯深厚的友誼。1952年4月，里斯來(lái)到中國，與黃昆結婚，后也在北京大學(xué)物理系工作。在北京大學(xué)，黃昆先后任北京大學(xué)物理系教授、副主任，半導體教研室主任。他與其他教學(xué)人員一起，建立了有中國特色的普通物理教學(xué)體系。他們強調立論要嚴謹、物理圖像要清晰、講授要深入淺出。直到現在，北大理科基礎教學(xué)還發(fā)揚著(zhù)他們講課的傳統。1956年，國家制訂了十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展規劃，把半導體列為國家重點(diǎn)科技研究項目。黃昆和其他科學(xué)家一起，制訂了我國發(fā)展半導體科學(xué)技術(shù)的規劃并組織其實(shí)施，成為我國半導體物理學(xué)科的開(kāi)創(chuàng )者之一。20世紀60年代初期，在當時(shí)國家
科委領(lǐng)導下，黃昆及時(shí)提出了應加強基礎研究的意見(jiàn)，并率先在北京大學(xué)組織了固體物理領(lǐng)域的基礎研究——固體能譜研究，建立了研究室和實(shí)驗室。
在工作中他強調理論研究與實(shí)驗結合，理論研究與發(fā)展新材料、新器件結合，推動(dòng)了全國固體物理基礎研究的發(fā)展。他還建議把固體物理列為我國物理專(zhuān)業(yè)的一門(mén)基礎課，作為物理專(zhuān)業(yè)課程設置上最顯著(zhù)的一項改革，以趕上當代科學(xué)技術(shù)發(fā)展的步伐。他親自主講了這門(mén)課，編著(zhù)出版了《固體物理學(xué)》。這些措施對我國固體物理的研究和教學(xué)，起了重要的作用。十年動(dòng)亂期間，黃昆和大多數知名科學(xué)家一樣，受到了不公正的待遇，但是他總是努力為黨、為祖國、為社會(huì )主義事業(yè)做盡可能多的工作。他傾注了大量的心血，先后編寫(xiě)出《半導體物理基礎》和《晶體管—晶體管數字集成電路》。1977年，黃
昆調任中國科學(xué)院半導體研究所所長(cháng)。他在組織全所科研工作，完成國家任務(wù)的同時(shí)，十分重視全所學(xué)術(shù)水平的提高。他親自給研究人員講課，組織全所的學(xué)術(shù)交流。他還在“晶體中電子非輻射躍遷理論”、“半導體量子阱和超晶格理論”的研究上取得了新的成就，發(fā)表論文20余篇。在黃昆主持下，半導體研究所成立了我國半導體超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗室，開(kāi)創(chuàng )并發(fā)展了我國在這一材料科學(xué)和固體物理中的嶄新領(lǐng)域的研究工作。黃昆不僅是一位優(yōu)秀的科學(xué)家，也是一位優(yōu)秀的教育家。他對新中國高等院校物理專(zhuān)業(yè)的發(fā)展做出了卓越的貢獻。他在普通物理課程體系、半導體物理教育體系以及固體物理等課程的教學(xué)建設方面做出了一系列奠基性的工作，為國家培養了一大批優(yōu)秀的科技人才。黃昆十分重視教材的建設。
他一向認為：“對
于科學(xué)著(zhù)作，特別是具有教材性質(zhì)的書(shū)籍，一項起碼的要求是問(wèn)題的講解必須明確具體、基本概念和理論的闡述必須明確。”黃昆編著(zhù)的《半導體物理學(xué)》(與謝希德合著(zhù))和《固體物理學(xué)》就是以講解透徹精辟而著(zhù)稱(chēng)?！栋雽w物理學(xué)》一書(shū)從理論上深入闡述了半導體中十分廣泛的物理現象，這樣的著(zhù)作在國內外都是第一部。這兩本著(zhù)作成為我國固體物理和半導體物理專(zhuān)業(yè)學(xué)生和研究人員必讀的著(zhù)作。黃昆是我國半導體物理學(xué)科教育事業(yè)的開(kāi)創(chuàng )者之一。1955年中國物理學(xué)會(huì )在北京舉辦了一個(gè)半導體報告會(huì )，主講人是黃昆、王守武、洪朝生、湯定元4位教授。然后，黃昆和他們一起在北大第一次講授了半導體物理課。為了更多、更迅速培養從事發(fā)展半
導體事業(yè)的專(zhuān)業(yè)人員，1956年暑期，北京大學(xué)、復旦大學(xué)、南京大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)和吉林大學(xué)五校，在北京大學(xué)聯(lián)合開(kāi)辦我國第一個(gè)半導體專(zhuān)業(yè)，黃昆任主任、謝希德為副主任。在黃昆、謝希德領(lǐng)導下，五校師生團結協(xié)作，先后開(kāi)設了固體物理、半導體物理、半導體實(shí)驗、半導體材料、晶體管電路、半導體器件等全面的半導體專(zhuān)業(yè)課程，并于1957年和1958年，培養出了200多名首批半導體專(zhuān)業(yè)的畢業(yè)生。這200余名畢業(yè)生，成為我國新興半導體事業(yè)的第一批骨干。對我國從我到有建立和發(fā)展半導體科學(xué)技術(shù)工業(yè)體系起了重要作用。隨后，全國許多高校紛紛仿效成立了半導體專(zhuān)業(yè)，還建立了研究所和生產(chǎn)半導體材料和器件的車(chē)間，使我國半導體學(xué)科和半導體技術(shù)獨立自主地發(fā)展起來(lái)。近2
0多年來(lái)，隨著(zhù)固體工藝技術(shù)的發(fā)展，人們已能用不同的半導體材料，按預定的設計制成周期性的層狀結構，層的厚度是與電子的德布羅意波長(cháng)相當而遠小于載流子的平均自由程，這樣就開(kāi)辟了材料科學(xué)和固體物理中一個(gè)嶄新的領(lǐng)域：半導體異質(zhì)結構和半導體超晶格。黃昆很早就認識到這一新的發(fā)展的重大理論意義和可能的重大實(shí)用價(jià)值，并指導中國科學(xué)院半導體研究所開(kāi)展這一領(lǐng)域的研究工作?，F在半導體研究所已成立了我國的半導體超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗室，建立了包括分子束外延生長(cháng)異質(zhì)結構和超晶格、異質(zhì)結構和超晶格的結構研究、光學(xué)性質(zhì)研究和輸運性質(zhì)研究等方面的研究組，產(chǎn)生了一批高質(zhì)量的研究成果。
黃昆還親自組織了半導體超晶格的理論研究，發(fā)表了10多篇科學(xué)論文。他和他的學(xué)生詳細地分析了Ⅲ*.Ⅴ族化合物的量子阱和超晶格的空穴帶的電子狀態(tài)，發(fā)展了一種適用于超晶格結構的簡(jiǎn)單有效的計算方法，從而對量子阱和超晶格結構中空穴子帶的性質(zhì)、價(jià)帶雜化和外加電場(chǎng)等對量子阱和超晶格中激子吸收的影響作了理論計算。他和他的學(xué)生又系統地研究了超晶格中的長(cháng)波光學(xué)振動(dòng)模式，指出流行的連續介電模型的結果是不對的，基于他在1951年提出的偶極振子晶格模型，他們提出了一個(gè)能描述迄今了解的實(shí)驗事實(shí)的理論模型，得到了在一維和二維的量子系統中縱向光學(xué)振動(dòng)和橫向光學(xué)振動(dòng)的類(lèi)體模的正確的描述。他們的這項工作將對理解半導體超晶格的光學(xué)性質(zhì)、光散射效應、電子和格波的相互作用起重要的作用。黃昆與朱邦芬提出的超晶格光學(xué)聲子模式，被稱(chēng)為“黃—朱模型”。
黃昆是一位國際知名的固體物理學(xué)家，取得多項國際水平的成果，有著(zhù)巨大的貢獻和巨大的影響。他被選為第三世界科學(xué)院院士、瑞典皇家科學(xué)院院士。1959年，他參加了第一屆全國群英會(huì )，1959年參加中國共產(chǎn)黨，被評為中央國家機關(guān)優(yōu)秀黨員，全國勞動(dòng)模范。1963年當選為第三屆全國人民代表大會(huì )代表，連續當選五、六、七、八屆全國政協(xié)常務(wù)委員。在2001年國家科技獎勵評選中，黃昆獲國家最高科學(xué)技術(shù)獎，贏(yíng)得了我國科學(xué)技術(shù)界最高的榮譽(yù)，江澤民主席親自為黃昆院士頒發(fā)了證書(shū)。
