3月11日，陜西省省長(cháng)劉國中主持召開(kāi)省政府第六次常務(wù)會(huì )議。會(huì )議研究了2019年度省科學(xué)技術(shù)獎勵等工作。會(huì )議決定，授予郝躍、楊紹卿、安芷生三位院士2019年度陜西省最高科學(xué)技術(shù)獎，并對260個(gè)項目進(jìn)行獎勵。

據悉，陜西省最高科學(xué)技術(shù)獎主要授予在本省從事科學(xué)研究或技術(shù)開(kāi)發(fā)轉化工作中做出重大貢獻的科學(xué)技術(shù)工作者或組織。

郝躍院士，長(cháng)期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波器件、半導體短波長(cháng)光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統的創(chuàng )新成果。是我國第三代半導體電子學(xué)領(lǐng)域的開(kāi)拓者和引領(lǐng)者，也是該領(lǐng)域享譽(yù)全球的微電子學(xué)知名學(xué)者。

郝躍院士長(cháng)期奮斗在科研和教學(xué)一線(xiàn)，從上世紀九十年代開(kāi)始研究第三代（寬禁帶）半導體材料與器件研究，開(kāi)拓和引領(lǐng)了我國第三代（寬禁帶）半導體電子材料與器件的發(fā)展。在基礎研究方面攻克了低缺陷氮化鎵材料生長(cháng)的難題，研制出高質(zhì)量材料生長(cháng)的設備，實(shí)現了同期最高效率的氮化鎵微波功率器件、最高亮度的深紫外氮化鎵LED器件，創(chuàng )建了我國第三代半導體氮化鎵外延生長(cháng)、器件結構以及制造工藝的理論與技術(shù)體系，實(shí)現了我國第三代半導體從核心設備、材料到器件的重大創(chuàng )新，并使我國在氮化物第三代半導體電子器件步入國際領(lǐng)先行列。成果應用于國防和國家重點(diǎn)領(lǐng)域，為國家科技與經(jīng)濟發(fā)展做出了突出貢獻?？蒲薪虒W(xué)成果使得陜西省在第三代半導體研究領(lǐng)域處于國內領(lǐng)先地位，在國際上有重要地位。

郝躍院士曾獲1998年國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎三等獎，2009年國家技術(shù)發(fā)明獎二等獎，2015年國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎二等獎，2008年國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎二等獎，2010年獲得何梁何利科學(xué)與技術(shù)進(jìn)步獎和2014年國家級教學(xué)成果二等獎，2018年國家級教學(xué)成果一等獎。

郝躍院士獲得2019年度陜西省最高科學(xué)技術(shù)獎，這是對一位三十年來(lái)，艱苦奮斗、潛心探索、為我省科技事業(yè)做出突出貢獻的科學(xué)家的肯定，也是對三十年來(lái)矢志不渝、攀登科學(xué)高峰，付出無(wú)數心血和智慧的科學(xué)家的贊譽(yù)。郝躍院士既是廣大科技工作者的榜樣，也是全省廣大九三學(xué)社社員的驕傲，更是九三學(xué)社的榮光。郝躍院士將繼續帶領(lǐng)團隊，攻堅克難、持續創(chuàng )新，不斷沖擊新的世界科技前沿，為實(shí)現“兩個(gè)一百年”奮斗目標和中華民族偉大復興的中國夢(mèng)作出新的更大貢獻?。ɡ铎o）